ໄປເຊຍກັນ GaSe
ການນໍາໃຊ້ໄປເຊຍກັນ GaSe ໄດ້ປັບຄວາມຍາວຂອງການຜະລິດຢູ່ໃນລະຫວ່າງ 58.2 µm ຫາ 3540 µm (ຈາກ 172 cm-1 ກັບ 2.82 cm-1) ທີ່ມີພະລັງງານສູງສຸດເຖິງ 209 W. ການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໄດ້ເຮັດໃຫ້ພະລັງງານຜະລິດຕະພັນ THz ນີ້. ແຫຼ່ງພະລັງງານຈາກ 209 W ເຖິງ 389 W.
ZnGeP2 ໄປເຊຍກັນ
ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ໂດຍອີງໃສ່ DFG ໃນ ZnGeP2 ໄປເຊຍກັນ, ຄວາມຍາວຄື້ນຜົນຜະລິດໄດ້ຖືກປັບຢູ່ໃນລະດັບ 83.1–1642 µm ແລະ 80.2–1416 µm ສໍາລັບສອງໄລຍະທີ່ກົງກັນຕາມລໍາດັບ, ພະລັງງານຜົນຜະລິດໄດ້ບັນລຸ 134 W.
ໄປເຊຍກັນ GaP
ການນໍາໃຊ້ໄປເຊຍກັນ GaP ໄດ້ປັບຄວາມຍາວຂອງການຜະລິດຢູ່ໃນລະດັບ 71.1–2830 µm ໃນຂະນະທີ່ພະລັງງານສູງສຸດແມ່ນ 15.6 W. ຂໍ້ດີຂອງການນໍາໃຊ້ GaP ຜ່ານ GaSe ແລະ ZnGeP2 ແມ່ນຈະແຈ້ງ: ການຫມຸນໄປເຊຍກັນແມ່ນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີຕໍ່ໄປອີກແລ້ວສໍາລັບການບັນລຸການປັບໄລຍະຄື້ນ. , ຫນຶ່ງພຽງແຕ່ຕ້ອງການປັບຄວາມຍາວຄື່ນຂອງ beam ປະສົມຫນຶ່ງພາຍໃນແບນວິດຂອງແຄບເປັນ 15.3 nm.
ເພື່ອສະຫຼຸບ
ປະສິດທິພາບການແປງຂອງ 0.1% ຍັງເປັນທີ່ສູງທີ່ສຸດເທົ່າທີ່ເຄີຍບັນລຸໄດ້ສໍາລັບລະບົບແທັບເລັດໂດຍໃຊ້ລະບົບເລເຊີທີ່ມີການຄ້າເປັນແຫຼ່ງປໍ້າ. ແຫຼ່ງ THz ເທົ່ານັ້ນທີ່ສາມາດແຂ່ງຂັນກັບແຫຼ່ງ GaSe THz ແມ່ນເລເຊີຟຣີອິເລັກໂທຣນິກ, ເຊິ່ງມີຂະໜາດໃຫຍ່ທີ່ສຸດ. ແລະບໍລິໂພກພະລັງງານໄຟຟ້າຂະຫນາດໃຫຍ່.ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມຍາວຄື້ນຜົນຜະລິດຂອງແຫຼ່ງ thisTHz ສາມາດປັບໄດ້ໃນລະດັບຄວາມກວ້າງທີ່ສຸດ, ບໍ່ເຫມືອນກັບ lasers quantum cascade ແຕ່ລະອັນສາມາດສ້າງຄວາມຍາວຂອງຄື້ນຄົງທີ່ເທົ່ານັ້ນ. ດັ່ງນັ້ນ, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກບາງຢ່າງທີ່ສາມາດຮັບຮູ້ໄດ້ໂດຍໃຊ້ແຫຼ່ງ THz monochromatic monochromatic ທີ່ສາມາດປັບໄດ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງຈະບໍ່ເປັນ. ເປັນໄປໄດ້ຖ້າອາໄສການກຳມະຈອນ subpicosecond THz ຫຼື quantum cascade lasers ແທນ.
