Yb:YAG ໄປເຊຍກັນ

ເຄມີ:Yb:YAG

ຄວາມຍາວຄື້ນຜົນຜະລິດ:1.029 ນ

ແຖບດູດຊຶມ:930 nm ຫາ 945 nm

Pump wavelength:940 nm

ຈຸດລະລາຍ:1970°C

ຄວາມຫນາແຫນ້ນ:4.56 g/cm3

ຄວາມແຂງຂອງ Mohs:8.5

ການນໍາຄວາມຮ້ອນ:14 Ws/m/K @ 20°C

WhatsApp ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ວິດີໂອ

Yb:YAG ແມ່ນໜຶ່ງໃນວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ເລເຊີທີ່ໂດດເດັ່ນທີ່ສຸດ ແລະ ເໝາະສຳລັບເຄື່ອງສູບນ້ຳ diode ຫຼາຍກວ່າລະບົບ Nd-doped ແບບດັ້ງເດີມ.ເມື່ອປຽບທຽບກັບ Nd:YAG crsytal ທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປ, Yb:YAG crystal ມີແບນວິດການດູດຊຶມທີ່ໃຫຍ່ກວ່າຫຼາຍເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ອງການການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນສໍາລັບ diode lasers, ອາຍຸສູງສຸດຂອງ laser ຍາວ, ການໂຫຼດຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາກວ່າສາມຫາສີ່ເທົ່າຕໍ່ພະລັງງານປັ໊ມຫົວຫນ່ວຍ.Yb:YAG crystals ຄາດວ່າຈະທົດແທນ Nd:YAG crystals ສໍາລັບ lasers diode-pumped ພະລັງງານສູງແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີທ່າແຮງອື່ນໆ.
Yb:YAG ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄໍາສັນຍາທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ເປັນອຸປະກອນການ laser ພະລັງງານສູງ.ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫນຶ່ງແມ່ນໄດ້ຖືກພັດທະນາໃນພາກສະຫນາມຂອງ lasers ອຸດສາຫະກໍາ, ເຊັ່ນ: ການຕັດໂລຫະແລະການເຊື່ອມໂລຫະ.ດ້ວຍ Yb:YAG ຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຢູ່ໃນປັດຈຸບັນ, ພາກສະຫນາມແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເພີ່ມເຕີມແມ່ນໄດ້ຮັບການຄົ້ນຫາ.
ຂໍ້ດີຂອງ Yb:YAG Crystal:
• ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນສ່ວນໜ້ອຍຫຼາຍ, ໜ້ອຍກວ່າ 11%
•ປະສິດທິພາບຄວາມຊັນສູງຫຼາຍ
•ແຖບການດູດຊຶມກວ້າງ, ປະມານ 8nm@940nm
• ບໍ່ມີການດູດຊຶມ ຫຼືການປ່ຽນສະພາບທີ່ຕື່ນເຕັ້ນ
• ດູດໄດ້ສະດວກໂດຍ diodes InGaAs ທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຢູ່ທີ່ 940nm (ຫຼື 970nm)
•ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂະຫນາດໃຫຍ່
•ຄຸນນະພາບ optical ສູງ
ແອັບພລິເຄຊັນ:
• ດ້ວຍແຖບປັ໊ມກວ້າງ ແລະສ່ວນຂ້າມການປ່ອຍອາຍພິດທີ່ດີເລີດ Yb:YAG ເປັນໄປເຊຍກັນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການສູບ diode.
• ພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງ 1.029 1mm
•ວັດສະດຸ Laser ສໍາລັບ Diode Pumping
•ການປຸງແຕ່ງວັດສະດຸ, ການເຊື່ອມໂລຫະແລະການຕັດ

ຄຸນສົມບັດພື້ນຖານ:

ສູດເຄມີ	Y₃Al₅O₁₂:Yb (0.1% ຫາ 15% Yb)
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ກ້ອນ
ຄວາມຍາວຄື້ນຜົນຜະລິດ	1.029 ນ
ການປະຕິບັດດ້ວຍເລເຊີ	ເລເຊີ 3 ລະດັບ
ຕະຫຼອດຊີວິດການປ່ອຍອາຍພິດ	951 ພວກເຮົາ
ດັດຊະນີສະທ້ອນແສງ	1.8 @ 632 nm
ແຖບດູດຊຶມ	930 nm ຫາ 945 nm
Pump wavelength	940 nm
ແຖບດູດຊຶມກ່ຽວກັບຄວາມຍາວຂອງປັ໊ມ	10 ນມ
ຈຸດລະລາຍ	1970°C
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	4.56 g/ຊມ³
ຄວາມແຂງຂອງ Mohs	8.5
ຄົງທີ່ຂອງເສັ້ນດ່າງ	12.01Ä
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	7.8×10^-6/K , [111], 0-250°C
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	7.8×10^-6/K , [111], 0-250°C

ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ:

ປະຖົມນິເທດ	ພາຍໃນ 5°
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	3 ມມ ຫາ 10 ມມ
ຄວາມທົນທານຕໍ່ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	+0.0 ມມ/- 0.05 ມມ
ຄວາມຍາວ	30 ມມ ຫາ 150 ມມ
ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຍາວ	± 0.75 ມມ
Perpendicularity	5 ນາທີ arc
ຂະໜານ	10 arc-ວິນາທີ
ຮາບພຽງ	ສູງສຸດ 0.1 ຄື້ນ
ສໍາເລັດຮູບ	20-10
ສໍາເລັດຮູບຖັງ	400 ເມັດ
ປາຍໃບໜ້າ Bevel:	0.075 ມມ ຫາ 0.12 ມມ ຢູ່ມຸມ 45°
ຊິບ	ບໍ່ມີຊິບທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ຢູ່ເທິງໃບຫນ້າປາຍຂອງ rod;chip ທີ່ມີຄວາມຍາວສູງສຸດ 0.3 mm ອະນຸຍາດໃຫ້ນອນຢູ່ໃນພື້ນທີ່ຂອງ bevel ແລະຫນ້າຖັງໄດ້.
ຮູຮັບແສງທີ່ຊັດເຈນ	ພາກກາງ 95%
ການເຄືອບ	ການເຄືອບມາດຕະຖານແມ່ນ AR ທີ່ 1.029 um ກັບ R<0.25% ແຕ່ລະໃບຫນ້າ.ການເຄືອບອື່ນໆທີ່ມີຢູ່.