ຜະລິດຕະພັນ

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) ໄປເຊຍກັນ optical ທີ່ບໍ່ແມ່ນເສັ້ນເສັ້ນ, ສົມທົບຄ່າສໍາປະສິດທີ່ບໍ່ແມ່ນເສັ້ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ຂອບເຂດຄວາມເສຍຫາຍສູງແລະລະດັບຄວາມໂປ່ງໃສກ້ວາງ.ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດສໍາລັບ SHG ໃນກາງ IR.
ZGP(ZnGeP2) ໄປເຊຍກັນ

ໄປເຊຍກັນ ZGP ມີຕົວຄູນ nonlinear ຂະຫນາດໃຫຍ່ (d36 = 75pm / V), ລະດັບຄວາມໂປ່ງໃສ infrared ກວ້າງ (0.75-12μm), ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ (0.35W / (cm·K)), ລະດັບຄວາມເສຍຫາຍ laser ສູງ (2-5J / cm2) ແລະ ຄຸນສົມບັດເຄື່ອງຈັກທີ່ດີ, ZnGeP2 ໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກເອີ້ນວ່າເປັນກະສັດຂອງໄປເຊຍກັນ optical infrared ແລະຍັງເປັນອຸປະກອນການແປງຄວາມຖີ່ທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບພະລັງງານສູງ, ການຜະລິດເລເຊີ infrared tunable.ພວກເຮົາສາມາດສະເຫນີໃຫ້ມີຄຸນນະພາບ optical ສູງແລະມີເສັ້ນຜ່າກາງຂະຫນາດໃຫຍ່ ZGP ໄປເຊຍກັນທີ່ມີຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມຕ່ໍາສຸດ α < 0.05 cm-1 (ຢູ່ທີ່ pump wavelengths 2.0-2.1 µm), ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງ laser tunable ກາງອິນຟາເລດທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງໂດຍຜ່ານ OPO ຫຼື OPA. ຂະບວນການ.
AGSe(AgGaSe2) ໄປເຊຍກັນ

AGSeໄປເຊຍກັນ AgGaSe2 ມີຂອບແຖບຢູ່ທີ່ 0.73 ແລະ 18 µm.ຂອບເຂດການສົ່ງຕໍ່ທີ່ເປັນປະໂຫຍດຂອງມັນ (0.9–16 µm) ແລະຄວາມສາມາດໃນການຈັບຄູ່ໄລຍະກ້ວາງໃຫ້ທ່າແຮງທີ່ດີເລີດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ OPO ໃນເວລາທີ່ pumped ໂດຍແນວພັນຂອງ lasers ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.ການຈູນພາຍໃນ 2.5–12 µm ໄດ້ຮັບເມື່ອສູບດ້ວຍເລເຊີ Ho:YLF ທີ່ 2.05 µm;ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການປະຕິບັດການຈັບຄູ່ໄລຍະທີ່ບໍ່ສໍາຄັນ (NCPM) ພາຍໃນ 1.9–5.5 µm ເມື່ອສູບຢູ່ທີ່ 1.4–1.55 µm.AgGaSe2 (AgGaSe2) ໄດ້ຖືກສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າເປັນໄປເຊຍກັນທີ່ມີຄວາມຖີ່ສອງເທົ່າທີ່ມີປະສິດທິພາບສໍາລັບລັງສີເລເຊີອິນຟາເຣດ CO2.
AGS(AgGaS2) ໄປເຊຍກັນ

AGS ມີຄວາມໂປ່ງໃສຈາກ 0.50 ຫາ 13.2 µm.ເຖິງແມ່ນວ່າຄ່າສໍາປະສິດ optical nonlinear ຂອງມັນແມ່ນຕ່ໍາສຸດໃນບັນດາໄປເຊຍກັນ infrared ທີ່ໄດ້ກ່າວມາ, ຄວາມໂປ່ງໃສຂອງຄື້ນສັ້ນສູງ edging ຢູ່ 550 nm ແມ່ນໃຊ້ໃນ OPOs pumped ໂດຍ Nd:YAG laser;ໃນຫຼາຍໆການທົດລອງຄວາມຖີ່ຂອງການປະສົມຂອງ diode, Ti:Sapphire, Nd:YAG ແລະ IR dye lasers ກວມເອົາໄລຍະ 3-12 µm;ໃນລະບົບຕ້ານ infrared ໂດຍກົງ, ແລະສໍາລັບ SHG ຂອງ CO2 laser.ແຜ່ນຜລຶກບາງ AgGaS2 (AGS) ເປັນທີ່ນິຍົມສໍາລັບການຜະລິດກໍາມະຈອນສັ້ນໃນໄລຍະກາງ IR ໂດຍການຜະລິດຄວາມຖີ່ທີ່ແຕກຕ່າງກັນໂດຍນໍາໃຊ້ກໍາມະຈອນຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ NIR.
BGSe(BaGa4Se7) ໄປເຊຍກັນ

ໄປເຊຍກັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຂອງ BGSe (BaGa4Se7) ແມ່ນການປຽບທຽບ selenide ຂອງສານປະສົມ chalcogenide BaGa4S7, ໂຄງສ້າງ orthorhombic ທີ່ມີຈຸດສູນກາງໄດ້ຖືກລະບຸໃນປີ 1983 ແລະຜົນກະທົບ IR NLO ໄດ້ຖືກລາຍງານໃນປີ 2009, ເປັນໄປເຊຍກັນ IR NLO ທີ່ພັດທະນາໃຫມ່.ມັນໄດ້ຮັບໂດຍຜ່ານເຕັກນິກ Bridgman-Stockbarger.ໄປເຊຍກັນນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຖ່າຍທອດສູງໃນໄລຍະຄວາມກ້ວາງຂອງ 0.47-18 μm, ຍົກເວັ້ນຈຸດສູງສຸດຂອງການດູດຊຶມຢູ່ທີ່ປະມານ 15 μm.
BGGSe(BaGa2GeSe6) ໄປເຊຍກັນ

ໄປເຊຍກັນ BaGa2GeSe6 ມີຂອບເຂດຄວາມເສຍຫາຍທາງ optical ສູງ (110 MW / cm2), ລະດັບຄວາມໂປ່ງໃສຂອງສະເປກກວ້າງ (ຈາກ 0.5 ຫາ 18 μm) ແລະ nonlinearity ສູງ (d11 = 66 ± 15 pm / V), ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ໄປເຊຍກັນນີ້ຫນ້າສົນໃຈຫຼາຍສໍາລັບ ການປ່ຽນຄວາມຖີ່ຂອງລັງສີເລເຊີເຂົ້າໄປໃນ (ຫຼືພາຍໃນ) ຊ່ວງກາງ IR.